Jeg er ikke så tekninsk velbevandret, så beklager hvis mit spørgsmål er "dumt" :-)
Spørgsmålet gå på om man kan udskifte bipolare udgangstransistorer til MOSFET typen, uden at skulle lave en "masse" om ?

Kort svar: NEJ det kan man ikke. Bipolare transistorer og Mosfets opfører sig forskelligt og har forkellige elektriske egenskaber.

__________________
Alt under 500 watt er til garagen.
Mens Løgnen løb fra Bagdad til Konstantinopel, fumlede Sandheden fortsat rundt efter sine sandaler.

Nej det kan du ikke. Feks. er skal BIAS-spændingen være større til MOSFET's og liniariseringsmodestande ligeså.

Jamen hvorfor køber du ikke "bare" en MOSFET forstærker?
Hvis den bipolar trans forstærker er wayout, så ud med den.
Det er et helt andet design de 2 typer.

Du har allerede fået de korte og umiddelbart korrekte svar på dit spørgsmål, hvis du ønsker en full-mosfet forstærker. Altså at alle bipolare transistorer udskiftes til mosfet vil kræve et totalt ændret kredløb.

Tegningen nedenfor (principdiagram) . Ønsker du kun at udskifte de bipolare udgangstransistorerne til Mosfet er det muligt med visse ændringer af forstærkerens nuværende kredsløb. Hovedforskellen mellem bipolare og mosfet transistorer er at bipolare skal styres med en strøm og mosfet med en spænding. Vi er i den heldige situation, at du vil skifte fra bipolar til mosfet og ikke omvendt. Vi har derfor såvel strøm som spænding til rådighed (røde markeringer). Mosfet skal have tilført en højere spænding end de bipolare for at fungerer efter hensigten. Udgangeffekten vil af samme årsag reduceres med mindre man øger forsyningsspændingen. Derudover skal komponentværdierne i bias kredsløbet ændres. Afhængig af mosfettypen kan drivertrinnet måske helt fjernes og derved formindske den tabte udgangseffekt en smule. Er transistorerne loddet direkte i printet kræves det at benforbindelserne kan genanvendes og i modsat fald erstattes af manuel ledningføring. Jeg siger ikke det er nemt, men det er muligt, hvis man kender sine komponenter og deres virkemåde.

Og spørgsmålet er hvad du ønsker at opnå ved at gøre det?

Wilson fan, du skriver at du "ikke er så teknisk velbevandret". Mit råd til dig er så at holde dig til købe-forstærkere.

Det kræver indgående kendskab til elektronik og ændre så grundlæggende på en konstruktion. Du vil formentlig ende med en afbrændt forstærker.
Man kan ikke "bare lige" skifte udgangstransistore eller fjerne et drivertrin. Hele forstærkerens stabilitet vil 100% sikkert blive sat over styr da den
er designet med andre transistorer.

Morse

Morse skrev: Wilson fan, du skriver at du "ikke er så teknisk velbevandret". Mit råd til dig er så at holde dig til købe-forstærkere. Det kræver indgående kendskab til elektronik og ændre så grundlæggende på en konstruktion. Du vil formentlig ende med en afbrændt forstærker. Man kan ikke "bare lige" skifte udgangstransistore eller fjerne et drivertrin. Hele forstærkerens stabilitet vil 100% sikkert blive sat over styr da den er designet med andre transistorer.

Det kan ikke anbefales at udføre forvandlingen til Mosfet i praksis. Diagrammet er fremstillet for at anskueliggøre principperne bag opgaven og forskellen mellem de to typer komponenter. Som jeg skriver er det et "principdiagram".

Det interessante er at få beskrevet baggrunden for ønsket om at anvende mosfet frem for bipolare transistorer. Ideen udspringer sikkert af en eller anden god ide eller oplevelse relateret til brugen af mosfet.

De omtalte forstærkere er konstrueret på en måde der gør, at de "kan" lave en gang " Kina syndrom" altså en nedsmeltning der tager højttalerne med
sig. Dette kan imødegåes hvis man skifter til MOSFETS da de har en mere rør-agtig måde at håndtere overstyring på. I øvrigt vi allerede der hvor de er
blevet ombygget Men tak for jeres respons på mit indlæg.

Jeg antager at der med "Kina syndrom" menes termisk rum-away i udgangs-trinnet. Det er rigtigt at nogle Mosfets har negative temperatur
koefficient ved bestemt tomgangsstrøm. Men ikke alle og det løser ikke det grundlæggende problem. At bias-kredsløbet ikke er ordentligt designet.
Jeg ville være noget bekymret hvis løsningen på termisk run-away er at skifte til mosfets.

Du skriver de allerede er ombygget. Er det en selvbyg konstruktion eller købe? Har du selv foretaget ombygningen? Har du tjekket at forstærkeren
nu har stabil bias? Problemet med et ikke optimalt bias kredsløb er at hvis du ender med noget som er kompenserer får du forøget forvrængning når
udgangs-trinnet bliver varmt. Det er en klassisk måling man laver.

Den med at Mosfets håndterer overstyring mere rør-agtigt lyder som en historie fra de varme lande og den ville jeg tage med en gran salt.

Morse

Wilson fan.

Det er yderst forståeligt at du ønsker at værne om dine højttalere. Hvem ønsker ikke det?

Du skriver: ”De omtalte forstærkere.......(hvilke? ) er konstrueret på en måde, der gør, at de "kan" lave en gang " Kina syndrom" altså en nedsmeltning der tager højttalerne med sig” og fortsætter: ”Dette kan imødegåes hvis man skifter til MOSFETS, da de har en mere rør-agtig måde at håndtere overstyring på.

Hvis vi starter bagfra er det korrekt at MOSFETS ligner rør i deres grundlæggende funktion og mange oplever lyden som musikalsk blødere, når man nærmer sig klippegrænsen.

Nedsmeltningen, som tager højttalerne med sig kan forårsages af to ting (se mit diagram). BIAS-kredsløbet kan være forkert designet. Der kan opstå fejl i transistoren, som skal have termisk kontakt til kølepladen på hvilken udgangstransistorerne er placeret. Trimmepotentiometeret, som bruges til at justere tomgangsstrømmen skal placeres sådan i kredsløbet, at fejl i dette som følge af alder eller anden fejlmulighed ikke får strømmen i udgangstrinnet til at vokse, men til at falde. Placerer man potentiometeret som vist på diagrammet vil strømmen ikke løbe løbsk hvis potentiometeret mister forbindelsen på kontaktfladen. Og her fejler mange producenter. En anden måde er at parallelforbinde bias kredsløbet med en zenerdiode, som griber den løbske spænding, hvis bias kredsløbet slipper sit tag i tomgangsstrømmen og starter ”kinasyndromet”.

Nedsmeltning. Mulighed to. Fejl i en driver eller udgangstransistor eller anden komponent, som følge af mangelfuld køling i kombination med høj afgiven udgangseffekt, kan resultere i at transistoren kortslutter og river alle andre med sig i faldet. Det sker på et splitsekund. Her er det afgørende vigtigt at forstærkeren er udstyret med relæbeskyttelse af højttaleren. Et kredsløb som både reagerer på for høj strøm gennem udgangstransistorerne, såvel som når der opstår for høj DC spænding på udgangen. Denne sidst beskrevne foranstaltning er lige vigtig uanset man anvender bipolare eller mosfet transistorer. Mosfet er ingen garanti mod kortslutning eller DC på udgangen.

Wilson, havde du/I chekket det eksisterende kredsløb var fri for oscillation.